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gaa fet 文章 进入gaa fet技术社区

GaN FET让您实现高性能D类音频放大器

  • D类音频放大器参考设计(EPC9192)让模块化设计具有高功率和高效,从而可实现全定制、高性能的电路设计。宜普电源转换公司(EPC)宣布近日推出EPC9192参考设计,可实现优越、紧凑型和高效的D类音频放大器,于接地参考、分离式双电源单端 (SE)设计中发挥200 V eGaN FET器件(EPC2307)的优势,在4Ω负载时,每声道输出功率达700 W。EPC9192是可扩展的模块化设计,其主板配有两个PWM调制器和两个半桥功率级子板,实现具备辅助管理电源和保护功能的双通道放大器。这种设计的灵活性高,使
  • 关键字: GaN FET  D类音频放大器  

测试共源共栅氮化镓 FET

  • Cascode GaN FET 动态测试面临的挑战  Cascode GaN FET 比其他类型的 GaN 功率器件更早进入市场,因为它可以提供常关操作并具有更宽的栅极驱动电压范围。然而,电路设计人员发现该器件在实际电路中使用起来并不那么容易,因为它很容易发生振荡,并且其器件特性很难测量并获得可重复的提取。许多设计人员在电路中使用大栅极电阻时必须减慢器件的运行速度,这降低了使用快速 GaN 功率器件的优势。图 1 显示了关断时的发散振荡。图 2 显示了导通时的大栅极电压振铃。两者都与图 3 所示的 Cas
  • 关键字: 氮化镓  FET  

EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET

  • 全球增强型氮化镓(GaN)功率 FET 和 IC领域的领导者宜普电源转换公司(EPC)推出 100 V、1 mOhm EPC2361。这是市场上具有最低导通电阻的GaN FET,与EPC的上一代产品相比,其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm,采用耐热QFN封装,顶部裸露,封装尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面积仅为15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的体积小超过五倍。凭借超低导通电阻
  • 关键字: EPC  1mΩ  导通电阻  GaN FET  

适用于自主驾驶车辆LiDAR的GaN FET快速指南

  • 激光探测及测距 (LiDAR) 的应用包括自主驾驶车辆、无人机、仓库自动化和精准农业。在这些应用中,大多都有人类参与其中,因此人们担心 LiDAR 激光可能会对眼睛造成伤害。为防止此类伤害,汽车 LiDAR 系统必须符合 IEC 60825-1 1 类安全要求,同时发射功率不超过 200 W。通用解决方案一般采用 1 至 2 ns 脉冲,重复频率为 1 至 2 MHz。这很有挑战性,因为需要使用微控制器或其他大型数字集成电路 (IC) 来控制激光二极管,但又不能直接驱动它,这样就必须增加一个栅极
  • 关键字: 自主驾驶  LiDAR  GaN  FET  

三星Exynos 2500芯片试产失败:3nm GAA工艺仍存缺陷

  • 最新报道,三星的3nm GAA生产工艺存在问题,原计划搭载于Galaxy S25/S25+手机的Exynos 2500芯片在生产过程中被发现存在严重缺陷,导致良品率直接跌至0%。报道详细指出,由于Exynos 2500芯片在3nm工艺下的生产质量问题,未能通过三星内部的质量检测。这不仅影响了Galaxy S25系列手机的生产计划,还导致原定于后续推出的Galaxy Watch 7的芯片组也无法如期进入量产阶段。值得关注的是,Exynos 2500原计划沿用上一代的10核CPU架构,升级之处在于将采用全新的
  • 关键字: 三星  Exynos  芯片  3nm  GAA  

消息称三星 3nm GAA 工艺试产失败,Exynos 2500 芯片被打上问号

  •  2 月 2 日消息,根据韩媒 DealSite+ 报道,三星的 3nm GAA 生产工艺存在问题,尝试生产适用于 Galaxy S25 / S25+ 手机的 Exynos 2500 芯片,均存在缺陷,良品率 0%。报道指出由于 3nm 工艺的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通过质量测试,导致后续 Galaxy Watch 7 的芯片组也无法量产。此前报道,Exynos 2500 将沿用上一代的 10 核 CPU 架构,同时引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
  • 关键字: 三星  3nm GAA  Exynos 2500 芯片  

Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET,提升 750V 电动汽车设计性能

  • 中国 北京,2024 年 1 月 30 日——全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布一款符合车规标准的碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)产品;在紧凑型 D2PAK-7L 封装中实现业界卓越的 9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作为 Qorvo 全新引脚兼容 SiC FET 系列的首款产品,导通电阻值最高可达 60mΩ,非常适合车载充电器、DC/DC 
  • 关键字: Qorvo  SiC FET  电动汽车  

台积电2nm制程进展顺利 晶圆厂最快4月进机

  • 台积电在3nm制程工艺于2022年四季度开始量产之后,研发和量产的重点随之转向下一代2nm制程工艺,计划在2025年实现量产。这意味着工厂及相关的设备要做好准备,以确保按计划顺利量产。台积电进入GAA时代的2nm制程进展顺利,最新援引供应链合作伙伴的消息报道称,位于新竹科学园区的宝山2nm首座晶圆厂P1已经完成钢构工程,并正在进行无尘室等内部工程 —— 最快4月启动设备安装工作,相关动线已勘查完成。而P2及高雄两地的工厂则计划在2025年开始制造采用此项技术的2nm芯片,中科二期则视需求状况预定
  • 关键字: 台积电  2nm  制程  晶圆厂  GAA  

EPC GaN FET可在数纳秒内驱动激光二极管,实现75~231A脉冲电流

  • 宜普电源转换公司(EPC)推出三款激光驱动器电路板,这些板采用了符合AEC-Q101认证标准、快速转换的GaN FET以实现具备卓越性能的激光雷达系统。EPC推出三款评估板,分别是EPC9179、EPC9181和EPC9180,它采用75 A、125 A、231 A脉冲电流激光驱动器和通过车规级AEC-Q101认证的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化镓器件的体积小30%和更具成本效益。这些电路板专为长距离和
  • 关键字: EPC GaN FET  激光二极管  

台积电2纳米惊爆大弱点?三星抢订单

  • 台积电为全球晶圆代工龙头,后头追兵三星与英特尔来势汹汹,但台积电在技术与订单仍保持一定优势,尤其三星至今在3纳米方面,依然无法取得顶尖客户的信任,三星高层也坦言,一旦台积电在2纳米转进GAA技术,三星还是得向台积电看齐学习。即使如此,三星也打算透过低价策略抢市,与台积电做出差别。综合外媒报导,三星虽在3纳米就开始使用GAA技术,量产时间也比台积电早数个月,但在良率与技术上无法获得客户青睐,苹果、辉达等科技巨头的大单仍在台积电手上,台积电3纳米沿用较旧的FinFET技术。三星不甘示弱,希望能在2纳米领域上扭
  • 关键字: 台积电  2纳米  三星  GAA  

日立高新技术公司部宣布推出其GT2000高精度电子束测量系统

  • 日立高新技术公司宣布推出其GT2000高精度电子束测量系统。GT2000利用日立高新技术在CD-SEM*1方面的技术和专业知识,在那里占有最大的市场份额。GT2000配备了用于尖端3D半导体器件的新型检测系统。它还利用低损伤高速多点测量功能用于high-NA EUV*2抗蚀剂晶片成像,以最小化抗蚀剂损伤并提高批量生产的产率。日立高新技术(Hitachi High-Tech)GT2000 CD-SEM将能够实现高级半导体器件制造过程中的高精度、高速测量和检测,这些半导体器件正变得越来越小型化和复杂化,并有助
  • 关键字: 日立高新  测试测量  GAA  CFET  

Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET

  • 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件,该器件采用新一代高压GaN HEMT技术和专有铜夹片CCPAK表面贴装封装,为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。经过二十多年的辛勤耕耘,Nexperia在提供大规模、高质量的铜夹片SMD封装方面积累了丰富的专业知识,如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管(GaN FET),Nexperia对此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ(典型值)的氮化镓场效应管,采用CCP
  • 关键字: Nexperia  SMD  CCPAK  GaN  FET  

FET 生物传感器的直流I-V 特性研究

  • 由于半导体生物传感器的低成本、迅速反应、检测准确等优点,对于此类传感器的研究和开发进行了大量投入。特别是基于场效应晶体管 (FET) 的生物传感器或生物场效应管,它们被广泛用于各种应用:如生物研究,即时诊断,环境应用,以及食品安全。生物场效应管将生物响应转换为分析物,并将其转换为可以使用直流I-V技术轻松测量的电信号。输出特性 (Id-Vd)、传输特性 (Id-Vg) 和电流测量值相对于时间 (I-t) 可以与分析物的检测和幅度相关。根据设备上的终端数量,可以使用多个源测量单元(SMU) 轻松完成这些直流
  • 关键字: 泰克科技  FET  生物传感器  

EPC新推100 V GaN FET助力实现更小的电机驱动器,用于电动自行车、机器人和无人机

  • 基于氮化镓器件的EPC9194逆变器参考设计显着提高了电机驱动系统的效率、扭矩而同时使得单位重量功率(比功率)增加了一倍以上。该逆变器非常微型,可集成到电机外壳中,从而实现最低的电磁干扰、最高的密度和最輕的重量。 宜普电源转换公司宣布推出三相BLDC电机驱动逆变器参考设计(EPC9194)。它的工作输入电源电压范围为 14V ~60V,可提供高达60 Apk(40 ARMS)的输出电流。此电压范围和功率使该解决方案非常适合用于各种三相BLDC电机驱动器,包括电动自行车、电动滑板车、无人
  • 关键字: EPC  GaN FET  电机驱动器  

GAA技术才开始,半导体大厂已着手研发下一代CFET技术

  • 外媒eNewsEurope报道,英特尔和台积电将在国际电子元件会议(IEDM)公布垂直堆叠式(CFET)场效晶体管进展,这有望使CFET成为十年内最可能接替全环绕栅极晶体管(GAA)的下一代先进制程。CFET场效晶体管将n和p两种MOS元件堆叠在一起,以实现更高的密度。该项技术最初由比利时微电子研究中心(IMEC)于2018年所提出的。虽然,大多数早期研究以学术界为主,但英特尔和台积电等半导体企业现在已经开始这一领域的研发,借此积极探索这种下一代先进晶体管技术。英特尔表示,研究员建构一个单片3DCFET,
  • 关键字: GAA  CFET  
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